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用2.5D TSV实现多处理器SiP功能
被引量:
1
1
作者
Deborah Patterson
Mike Kelly
+3 位作者
Rick Reed
Steve Eplett
Zafer Kutlu
ramakanth alapati
《中国集成电路》
2014年第11期27-32,84,共7页
本项目由Open-Silicon,GLOBALFOUNDRI ES和Amkor三家公司合作完成。两颗28nm的ARM处理器芯片,通过2.5D硅转接板实现集成。芯片的高性能集成通常由晶体管制程提高来实现,应用2.5D技术的Si P正成为传统芯片系统集成的有效替代。Open-Sili...
本项目由Open-Silicon,GLOBALFOUNDRI ES和Amkor三家公司合作完成。两颗28nm的ARM处理器芯片,通过2.5D硅转接板实现集成。芯片的高性能集成通常由晶体管制程提高来实现,应用2.5D技术的Si P正成为传统芯片系统集成的有效替代。Open-Silicon负责芯片和硅转接板的设计,重点在于性能优化和成本降低。GLOBALFOUNDRI ES采用28nm超低能耗芯片工艺制造处理器芯片,而用65nm技术制造2.5D硅转接板。包括功耗优化和功能界面有效管理等概念得到验证。硅基板的高密度布线提供大量平行I/O,以实现高性能存储,并保持较低功耗。所开发的EDA设计参考流程可以用于优化2.5D设计。本文展示了如何将大颗芯片重新设计成较小的几颗芯片,通过2.5D硅转接板实现Si P系统集成,以降低成本,提高良率,增加设计灵活性和重复使用性,并减少开发风险。
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关键词
系统级封装
2.5D
穿硅孔
多处理器
2.5D穿硅孔封装
下载PDF
职称材料
题名
用2.5D TSV实现多处理器SiP功能
被引量:
1
1
作者
Deborah Patterson
Mike Kelly
Rick Reed
Steve Eplett
Zafer Kutlu
ramakanth alapati
机构
安靠封装测试
Open- Silicon
GLOBALFOUNDRIES
出处
《中国集成电路》
2014年第11期27-32,84,共7页
文摘
本项目由Open-Silicon,GLOBALFOUNDRI ES和Amkor三家公司合作完成。两颗28nm的ARM处理器芯片,通过2.5D硅转接板实现集成。芯片的高性能集成通常由晶体管制程提高来实现,应用2.5D技术的Si P正成为传统芯片系统集成的有效替代。Open-Silicon负责芯片和硅转接板的设计,重点在于性能优化和成本降低。GLOBALFOUNDRI ES采用28nm超低能耗芯片工艺制造处理器芯片,而用65nm技术制造2.5D硅转接板。包括功耗优化和功能界面有效管理等概念得到验证。硅基板的高密度布线提供大量平行I/O,以实现高性能存储,并保持较低功耗。所开发的EDA设计参考流程可以用于优化2.5D设计。本文展示了如何将大颗芯片重新设计成较小的几颗芯片,通过2.5D硅转接板实现Si P系统集成,以降低成本,提高良率,增加设计灵活性和重复使用性,并减少开发风险。
关键词
系统级封装
2.5D
穿硅孔
多处理器
2.5D穿硅孔封装
Keywords
SiP
2.5D
TSV
Multiple Processor
2.5D TSV Packaging
分类号
TP332 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
用2.5D TSV实现多处理器SiP功能
Deborah Patterson
Mike Kelly
Rick Reed
Steve Eplett
Zafer Kutlu
ramakanth alapati
《中国集成电路》
2014
1
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