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更高效电机驱动的基本挑战和解决方案
被引量:
2
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作者
richard chung
Roy Davis
+1 位作者
Steven Hong
Sergio Fissore
《电子产品世界》
2015年第7期15-19,共5页
本文针对汽车和电机行业介绍能够减缓CO2增长速度的挑战和有效解决方案。
关键词
电机
电机驱动
电力系统
下载PDF
职称材料
功率应用中的P沟道和N沟道MOSFET
被引量:
1
2
作者
James Victory
richard chung
《中国集成电路》
2015年第12期43-44,51,共3页
MOSFET是大多数开关电源(SMPS)中晶体管的选择。MOSFET可以作为栅极整流器来提高效率。为了在功率应用中选择最好的开关,本文对优化后的P沟道和N沟道MOSFET进行了比较。
关键词
N沟道MOSFET
P沟道
应用
功率
开关电源
晶体管
整流器
栅极
下载PDF
职称材料
在DC/DC设计中优化同步降压器的挑战
3
作者
richard chung
《电子设计应用》
2006年第8期145-147,共3页
关键词
设计人员
同步降压器
DC/DC
MOSFET
电路布局
驱动器
电磁干扰
开关特性
下载PDF
职称材料
题名
更高效电机驱动的基本挑战和解决方案
被引量:
2
1
作者
richard chung
Roy Davis
Steven Hong
Sergio Fissore
机构
飞兆半导体公司
出处
《电子产品世界》
2015年第7期15-19,共5页
文摘
本文针对汽车和电机行业介绍能够减缓CO2增长速度的挑战和有效解决方案。
关键词
电机
电机驱动
电力系统
分类号
TM32 [电气工程—电机]
下载PDF
职称材料
题名
功率应用中的P沟道和N沟道MOSFET
被引量:
1
2
作者
James Victory
richard chung
机构
Fairchild公司
出处
《中国集成电路》
2015年第12期43-44,51,共3页
文摘
MOSFET是大多数开关电源(SMPS)中晶体管的选择。MOSFET可以作为栅极整流器来提高效率。为了在功率应用中选择最好的开关,本文对优化后的P沟道和N沟道MOSFET进行了比较。
关键词
N沟道MOSFET
P沟道
应用
功率
开关电源
晶体管
整流器
栅极
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
在DC/DC设计中优化同步降压器的挑战
3
作者
richard chung
机构
飞兆半导体公司
出处
《电子设计应用》
2006年第8期145-147,共3页
关键词
设计人员
同步降压器
DC/DC
MOSFET
电路布局
驱动器
电磁干扰
开关特性
分类号
TN86 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
更高效电机驱动的基本挑战和解决方案
richard chung
Roy Davis
Steven Hong
Sergio Fissore
《电子产品世界》
2015
2
下载PDF
职称材料
2
功率应用中的P沟道和N沟道MOSFET
James Victory
richard chung
《中国集成电路》
2015
1
下载PDF
职称材料
3
在DC/DC设计中优化同步降压器的挑战
richard chung
《电子设计应用》
2006
0
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职称材料
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