提高DC-DC变换器效率用高单元密度屏蔽栅功率MOSFET

本文介绍了飞兆半导体公司最新开发的高单元密度、屏蔽栅功率MOSFET的结构。这种屏蔽栅结构有助于建立电荷平衡,从而减少MOSFET的通态电阻和栅电荷。这种新技术能使通态电阻比前一代减少50%以上。为进一步改善器件特性,一种肖特基器件也被单片集成在这种新型MOSFET中,使得反向恢复电荷减少了将近20%。上述措施直接减小了在高频、大电流和高输入电压下非常关键的体二极管损耗。该新型器件在典型的同步降压变换器应用中,能提供1.5%的最高效率改进。

全新功率半导体技术协助数据中心降低能源的消耗

世界各地有为数众多的计算机,其所消耗的能量十分惊人。支撑因特网运作的数据中心就是一大耗能实例。在美国,单单是服务器所消耗的能量就占全国总能耗的1.2%之多。另外,在2005年,全球服务器及其相关基础设施的电能支出就超过了70亿美元，相当于14座1，000MW发电厂的发电量。

全新功率半导体技术助力数据中心节能

世界各地计算机数量众多，耗能量也相当庞大，而支撑互联网运作的数据中心就是一大耗能实例。在一个典型的数据中心设施中，其实只有不到一半的功耗是用在计算功能上的。所以数据中心运营商千方百计寻找机会来提高功率转换效率和分配效率，例如通过高压直流源的分配来减小转换级的数目。

集成肖特基二极管的沟槽功率HOSFET和DC-DC转换器的性能优势

发展单片集成MOSFET和肖特基二极管器件来减小Qrr和在DC-DC同步降压转换中的死区时间损耗。这篇文章报道了一种新的器件,这种器件在没有妥协MOSFET优点的同时,它可以降低超过29% 的反向恢复电荷,和降低24%的正向电压降。在1MHZ,集成单片FET做同步整流,其电路效率提高 1.1%。随着开关频率和电流的增加性能也得到改善。