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题名砷化镓场效应晶体管的噪声性能
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作者
robert a.pucel
赵克俊
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出处
《微纳电子技术》
1978年第3期48-54,共7页
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文摘
一、引言砷化镓肖特基势垒场效应晶体管是在X波段和更高频率上显示线性功率放大性能的第一个三端固体器件。它的独特的信号处理能力和低噪声特性已为许多工作者所证明。例如,在10千兆赫时,其噪声系数接近3分贝的已有报导,而理论上预计的还低一些。目前,从低的C波段往上,砷化镓场效应晶体管已在低噪声放大器中被采用。就这点而论,它很出色地弥补了硅双极晶体管仍然只能控制C波段以下的微波波段的状况,然而,现在正用具有缓冲层的场效应晶体管来实现降低噪声,双极晶体管的这一独特频率范围不会继续存在多久。
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关键词
场效应晶体管
窄带
理论值
单极晶体管
场效应器件
栅长
噪声发生器
噪声性能
迁移率模型
噪声系数
漏电流
栅电极
沟道
寄生电阻
外延层
缓冲层
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分类号
TN3
[电子电信—物理电子学]
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