通过硅再设计来解决栅泄漏问题

通过采用能带工程技术来再设计基本的硅沟道技术,一种新型的硅上硅(silicon-on-silicon)工艺能够大幅降低标准CMOS工艺中的栅泄漏,而不用引入可能带来混乱的新材料,也不需要对标准的CMOS制造流程做出太大的改动。