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大功率两单元MPD系列IGBT模块
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作者 Michael Sleven Prasad Bhalerao robert wiatr 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2007年第7期101-102,共2页
作为高密度功率半导体器件的领航者,三菱电机采用最新的CSTBTM硅片技术开发出了大功率两单元功率模块,额定值达到900A/1200V、1400A/1200V和1000A/1700V。这种具有独特设计优势的大功率两单元(MegaPower DualI)GBT模块适用于大功率UPS... 作为高密度功率半导体器件的领航者,三菱电机采用最新的CSTBTM硅片技术开发出了大功率两单元功率模块,额定值达到900A/1200V、1400A/1200V和1000A/1700V。这种具有独特设计优势的大功率两单元(MegaPower DualI)GBT模块适用于大功率UPS、风能发电和大功率电动机驱动。介绍了MPD模块的结构特点和电气特性。 展开更多
关键词 半导体元器件/载流子存储式沟槽栅型双极性晶体管 功率循环能力
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