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大功率两单元MPD系列IGBT模块
1
作者
Michael Sleven
Prasad Bhalerao
robert wiatr
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2007年第7期101-102,共2页
作为高密度功率半导体器件的领航者,三菱电机采用最新的CSTBTM硅片技术开发出了大功率两单元功率模块,额定值达到900A/1200V、1400A/1200V和1000A/1700V。这种具有独特设计优势的大功率两单元(MegaPower DualI)GBT模块适用于大功率UPS...
作为高密度功率半导体器件的领航者,三菱电机采用最新的CSTBTM硅片技术开发出了大功率两单元功率模块,额定值达到900A/1200V、1400A/1200V和1000A/1700V。这种具有独特设计优势的大功率两单元(MegaPower DualI)GBT模块适用于大功率UPS、风能发电和大功率电动机驱动。介绍了MPD模块的结构特点和电气特性。
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关键词
半导体元器件/载流子存储式沟槽栅型双极性晶体管
功率循环能力
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职称材料
题名
大功率两单元MPD系列IGBT模块
1
作者
Michael Sleven
Prasad Bhalerao
robert wiatr
机构
三菱电机欧洲
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2007年第7期101-102,共2页
文摘
作为高密度功率半导体器件的领航者,三菱电机采用最新的CSTBTM硅片技术开发出了大功率两单元功率模块,额定值达到900A/1200V、1400A/1200V和1000A/1700V。这种具有独特设计优势的大功率两单元(MegaPower DualI)GBT模块适用于大功率UPS、风能发电和大功率电动机驱动。介绍了MPD模块的结构特点和电气特性。
关键词
半导体元器件/载流子存储式沟槽栅型双极性晶体管
功率循环能力
Keywords
semiconductor component / Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor (CSTBTTM)
Power Cycle
分类号
TM46 [电气工程—电器]
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作者
出处
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1
大功率两单元MPD系列IGBT模块
Michael Sleven
Prasad Bhalerao
robert wiatr
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2007
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