掩膜对不准测量用的电压对比度测试结构

由于目前最先进CMOS器件的尺寸非常小,对准要求变得极具挑战性。测量触点至栅极对准的方法涉及用SEM扫描触点阵列,每次与接地栅极的重叠部分数量不同。电压对比信号表明哪些触点正在触及栅极。把样品晶圆数据与光学对准数据进行了比较。阐述了更充分比较二种技术的精度必须要做的后续工作。