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P(VDF/CTFE)共聚物薄膜的驻极体行为
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作者 邱勋林 夏钟福 +3 位作者 吴越华 王飞鹏 张冶文 rudi danz 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期56-58,共3页
 通过不同条件下的正负电晕充电,等温表面电位衰减测量,热刺激放电(TSD)电流谱分析和热脉冲技术,首次研究了偏氟乙烯(VDF)和三氟氯乙烯(CTFE)共聚物P(VDF/CTFE)的驻极体性质,结果指出:共聚物驻极体的空间电荷热稳定性明显优于PVDF;TSD...  通过不同条件下的正负电晕充电,等温表面电位衰减测量,热刺激放电(TSD)电流谱分析和热脉冲技术,首次研究了偏氟乙烯(VDF)和三氟氯乙烯(CTFE)共聚物P(VDF/CTFE)的驻极体性质,结果指出:共聚物驻极体的空间电荷热稳定性明显优于PVDF;TSD谱分析说明这种材料驻极体也是极性驻极体,即体内同时包含有偶极和空间电荷。本文还对样品的正负电晕充电后的电荷储存稳定性做了对比;研究了材料的能阱分布,确定了样品在不同温度电晕充电时平均电荷重心的迁移规律。 展开更多
关键词 偏氟-三氟氯乙烯共聚物 驻极体 偶极子 PVDF PCTFE
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聚四氟乙烯多孔薄膜驻极体的电荷储存稳定性 被引量:26
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作者 夏钟福 邱勋林 +2 位作者 张冶文 Armin Wedel rudi danz 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期389-394,共6页
利用在室温和高温下的栅控恒压电晕充电 ,常温电晕充电后经不同温度老化处理后的表面电位衰减测量 ,及开路热刺激放电 (ThermallyStimulatedDischarge ,TSD)研究了正负充电后PTFE(Polytetrafluoroethylene)多孔薄膜驻极体的电荷储存稳定... 利用在室温和高温下的栅控恒压电晕充电 ,常温电晕充电后经不同温度老化处理后的表面电位衰减测量 ,及开路热刺激放电 (ThermallyStimulatedDischarge ,TSD)研究了正负充电后PTFE(Polytetrafluoroethylene)多孔薄膜驻极体的电荷储存稳定性 .PTFE多孔膜 ,PTFE非多孔膜 (TeflonPTFE)和FEP(Tetrafluoroethylene hexa fluoropropyleneCopoly mer)非多孔膜 (TeflonFEP)间的电荷储存稳定性的比较研究也已进行 .通过等温退极化程序 ,对上述三种薄膜驻极体的电荷储存寿命 (有效时间常数 )τ进行了定量估算 .结果指出 :在有机驻极体材料中 ,对正负充电后两种极性驻极体样品的PTFE多孔薄膜驻极体均呈现最优异的电荷储存稳定性 ,尤其是在高温条件下 .通过扫描电镜 (SEM)对这种新结构的氟聚合物驻极体材料的突出电荷储存能力和结构根源也已初步讨论 . 展开更多
关键词 聚四氟乙烯 多孔薄膜 驻极体 电荷储存稳定性
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