CMP工艺参数改进

为CMP提供消耗品的供应商正在开发新的方法,在维持研磨去除率不变的情况下,改善平整度和缺陷率,同时降低成本,来满足未来应用的要求。

光刻胶去胶难度渐增

无论湿法去胶还是干法去胶,光刻胶去除工艺都需要在低k材料损伤、衬底硅材料损伤与光刻胶和其残余物去除效果之间取得平衡。

硅化物支持先进的栅叠层结构

在多晶硅／二氧化硅栅被使用了40多年之后。产业界面临着转向高k／金属栅堆叠的挑战。我们正在目睹一个时代的结束。

SOI技术成为主流

绝缘层上硅(SOI)技术的独特特性正在开启一个新的应用领域,相关所需要的基础可以支持和促进新兴市场的开发。

新材料表征所面临的挑战

对用于下一代器件的新型材料进行验证经常需要更多的测试，在某些情况下还需要开发新的工艺和技术。

基础设施依然阻碍着3-D IC的发展

在过去的20年间，3-D（三维）集成的概念在半导体工业界获得很大关注（图1）。根据成本和基础设施方面的相关考虑，“这一技术已经可以进入可接受的范围”，Tezzaron（伊力诺依州，Naperville）的CTORobert Pani如是说。然而，随着每个新工艺代对应器件尺寸持续缩小带来的挑战，业界因而需要付出更多的努力使3-D技术可行且具成本效益。

用于纳米制造的开放设备

Stanford Nanofabrication Facility（SNF）1是一个面向学术界、工业界和政府的研究人员开放的实验室,拥有最尖端并可共享的设备（图1）。该超净间的面积为10,500平方英尺,坐落于斯坦福大学校内,注册的实验室成员超过600人,所研究的技术涉及MEMS、光学、生物学、化学以及传统的电子器件制造和工艺表征。在这一环境中,

变化中的供应链

消费类电子市场的增长正在使半导体产业发生变化。价格点和更新速率等最新问题，迫使产业界寻找新的方式来管理日益复杂的供应链（图1）。今天，许多芯片制造商、设计公司和设备制造商都在实施某种形式的供应链管理（SCM）来降低成本并满足持续增长的客户需求。

经济低迷期的OEE

随着存在多年的两位数年增长率的终结,fab和设备供应商要开始学习如何面对需求不断萎缩的局面,这包括如何使用全局设备效率(OEE)。

浅结工程发展趋势

芯片制造商和半导体设备制造商都在不断开发新的技术和集成工艺,来满足国际半导体技术蓝图(ITRS)对于浅结的苛刻要求。

通向3-D之路

在2000年早期，42寸的等离子体电视刚刚出现在市场时，其标价超过一万美元。而今年，LCD超过了等离子体（图1），3-DTV也正在步入普通家庭。