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大功率IGBT模块的集成技术
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作者 s.伊加雷希 T.未耶塞凯 +2 位作者 s.耶希沃图特 许平 刘鹿生 《电力电子》 2004年第3期25-28,共4页
介绍了大功率IGBT模块的新概念,以及为实现小型化和高可靠系统时大功率应用的栅驱动技术。采用新型模块,可使体积和重量大约减小50%。使用通常的栅驱动方法驱动新型模块,也能简化设计并得到大功率电子系统。IGBT芯片的正面采用了沟槽栅... 介绍了大功率IGBT模块的新概念,以及为实现小型化和高可靠系统时大功率应用的栅驱动技术。采用新型模块,可使体积和重量大约减小50%。使用通常的栅驱动方法驱动新型模块,也能简化设计并得到大功率电子系统。IGBT芯片的正面采用了沟槽栅结构,背面采用了电场截止层结构。未选择栅沟槽的FS IGBT芯片,其电流的不均衡率是10%或更小。采用通常的栅驱动单元有可能均衡与栅驱动单元并联的IGBT的开关波形。这些技术将使大容量的应用变得容易。 展开更多
关键词 大功率IGBT模块 集成 沟槽栅结构 双极性晶体管
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