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大功率IGBT模块的集成技术
1
作者
s.伊加雷希
T.未耶塞凯
+2 位作者
s.
耶希沃图特
许平
刘鹿生
《电力电子》
2004年第3期25-28,共4页
介绍了大功率IGBT模块的新概念,以及为实现小型化和高可靠系统时大功率应用的栅驱动技术。采用新型模块,可使体积和重量大约减小50%。使用通常的栅驱动方法驱动新型模块,也能简化设计并得到大功率电子系统。IGBT芯片的正面采用了沟槽栅...
介绍了大功率IGBT模块的新概念,以及为实现小型化和高可靠系统时大功率应用的栅驱动技术。采用新型模块,可使体积和重量大约减小50%。使用通常的栅驱动方法驱动新型模块,也能简化设计并得到大功率电子系统。IGBT芯片的正面采用了沟槽栅结构,背面采用了电场截止层结构。未选择栅沟槽的FS IGBT芯片,其电流的不均衡率是10%或更小。采用通常的栅驱动单元有可能均衡与栅驱动单元并联的IGBT的开关波形。这些技术将使大容量的应用变得容易。
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关键词
大功率IGBT模块
集成
沟槽栅结构
双极性晶体管
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职称材料
题名
大功率IGBT模块的集成技术
1
作者
s.伊加雷希
T.未耶塞凯
s.
耶希沃图特
许平
刘鹿生
机构
日本富士电子器件技术有限公司
日本富士功率半导体有限公司
清华大学微电子所
出处
《电力电子》
2004年第3期25-28,共4页
文摘
介绍了大功率IGBT模块的新概念,以及为实现小型化和高可靠系统时大功率应用的栅驱动技术。采用新型模块,可使体积和重量大约减小50%。使用通常的栅驱动方法驱动新型模块,也能简化设计并得到大功率电子系统。IGBT芯片的正面采用了沟槽栅结构,背面采用了电场截止层结构。未选择栅沟槽的FS IGBT芯片,其电流的不均衡率是10%或更小。采用通常的栅驱动单元有可能均衡与栅驱动单元并联的IGBT的开关波形。这些技术将使大容量的应用变得容易。
关键词
大功率IGBT模块
集成
沟槽栅结构
双极性晶体管
Keywords
IGBT
module
integrated technologies
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
大功率IGBT模块的集成技术
s.伊加雷希
T.未耶塞凯
s.
耶希沃图特
许平
刘鹿生
《电力电子》
2004
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