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11和14千兆赫低噪声砷化镓场效应晶体管放大器
1
作者
s.aihara
H.Katoh
李春发
《微纳电子技术》
1978年第3期63-70,共8页
采用亚微米栅砷化镓场效应晶体管(NEC V-388)研制成11和14千兆赫低噪声放大器。两级放大器实现的最小噪声系数,在11.2千兆赫时为4.2分贝,14千兆赫时为5.7分贝。该放大器将用作接收机前置级。它由未封装的砷化镓场效应晶体管管芯与制作...
采用亚微米栅砷化镓场效应晶体管(NEC V-388)研制成11和14千兆赫低噪声放大器。两级放大器实现的最小噪声系数,在11.2千兆赫时为4.2分贝,14千兆赫时为5.7分贝。该放大器将用作接收机前置级。它由未封装的砷化镓场效应晶体管管芯与制作在兰宝石衬底上的薄膜微带输入和输出电路组成。本文介绍了这类放大器的设计、结构和性能。
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关键词
千兆赫
噪声系数
砷化镓场效应晶体管
谐振器
共振器
放大器电路
场效应晶体管放大器
低噪声
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职称材料
题名
11和14千兆赫低噪声砷化镓场效应晶体管放大器
1
作者
s.aihara
H.Katoh
李春发
出处
《微纳电子技术》
1978年第3期63-70,共8页
文摘
采用亚微米栅砷化镓场效应晶体管(NEC V-388)研制成11和14千兆赫低噪声放大器。两级放大器实现的最小噪声系数,在11.2千兆赫时为4.2分贝,14千兆赫时为5.7分贝。该放大器将用作接收机前置级。它由未封装的砷化镓场效应晶体管管芯与制作在兰宝石衬底上的薄膜微带输入和输出电路组成。本文介绍了这类放大器的设计、结构和性能。
关键词
千兆赫
噪声系数
砷化镓场效应晶体管
谐振器
共振器
放大器电路
场效应晶体管放大器
低噪声
分类号
TN7 [电子电信—电路与系统]
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作者
出处
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1
11和14千兆赫低噪声砷化镓场效应晶体管放大器
s.aihara
H.Katoh
李春发
《微纳电子技术》
1978
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