运用互补性显微术在终极尺度上三维重构并分析同一个纳米级样品

运用两种不同的纳米尺度或原子尺度测量分析方法分析同一个样品,对完全掌握一种材料或产品的属性至关重要,这种优势互补的分析方法特别适用于测定MOSFET、FINFET等新一代纳米级晶体管的掺杂分布情况。本文综合电子断层扫描技术（ET）与原子探针层析技术（APT）两种表征方法,研究纳米级晶体管中硼原子空间分布特征。