期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
GaN中的缺陷与杂质 被引量:8
1
作者 许小亮 施朝淑 s.fung c.d.beling 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2001年第1期1-11,共11页
GaN是一种新型的宽禁带半导体兰色发光与激光材料。GaN中的缺陷和杂质对于材料的电学输运特性和发光性能有着至关重要的影响。本文综述了近年来对于GaN中缺陷和杂质的理论与实验研究。包括对天然缺陷与非特意性掺杂的研究 。
关键词 GAN 缺陷 杂质 深能级 离子注入 半导体材料 电学输运特性 发光性能
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部