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GaN中的缺陷与杂质
被引量:
8
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作者
许小亮
施朝淑
s.fung c.d.beling
《物理学进展》
CSCD
北大核心
2001年第1期1-11,共11页
GaN是一种新型的宽禁带半导体兰色发光与激光材料。GaN中的缺陷和杂质对于材料的电学输运特性和发光性能有着至关重要的影响。本文综述了近年来对于GaN中缺陷和杂质的理论与实验研究。包括对天然缺陷与非特意性掺杂的研究 。
关键词
GAN
缺陷
杂质
深能级
离子注入
半导体材料
电学输运特性
发光性能
下载PDF
职称材料
题名
GaN中的缺陷与杂质
被引量:
8
1
作者
许小亮
施朝淑
s.fung c.d.beling
机构
中国科学技术大学物理系
香港大学物理系
出处
《物理学进展》
CSCD
北大核心
2001年第1期1-11,共11页
基金
香港政府科学基金资助项目
中国科大归国人员基金
中国博士后基金委奖励基金资助项目 !(中博基 (1 999)No.1 7)
文摘
GaN是一种新型的宽禁带半导体兰色发光与激光材料。GaN中的缺陷和杂质对于材料的电学输运特性和发光性能有着至关重要的影响。本文综述了近年来对于GaN中缺陷和杂质的理论与实验研究。包括对天然缺陷与非特意性掺杂的研究 。
关键词
GAN
缺陷
杂质
深能级
离子注入
半导体材料
电学输运特性
发光性能
Keywords
GaN,defects,impurities, deep level
分类号
O474 [理学—半导体物理]
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaN中的缺陷与杂质
许小亮
施朝淑
s.fung c.d.beling
《物理学进展》
CSCD
北大核心
2001
8
下载PDF
职称材料
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