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下一代低VCEsat双极晶体管
1
作者
s.habenicht
D.Oelgeschlger
B.Scheffler
《电子产品世界》
2010年第10期48-49,共2页
近年来,中功率双极晶体管在饱和电阻及功率选择范围方面的重大改进,极大地拓宽了此类器件的应用领域。恩智浦最新推出的SMD封装型中功率晶体管BISS4充分展示了双极晶体管的技术优势,它在为开关应用带来大功率低损耗解决方案的同时,也创...
近年来,中功率双极晶体管在饱和电阻及功率选择范围方面的重大改进,极大地拓宽了此类器件的应用领域。恩智浦最新推出的SMD封装型中功率晶体管BISS4充分展示了双极晶体管的技术优势,它在为开关应用带来大功率低损耗解决方案的同时,也创造了新的应用领域。
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关键词
双极晶体管
晶体管架构
BISS
VCesat
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职称材料
题名
下一代低VCEsat双极晶体管
1
作者
s.habenicht
D.Oelgeschlger
B.Scheffler
机构
NXP半导体
出处
《电子产品世界》
2010年第10期48-49,共2页
文摘
近年来,中功率双极晶体管在饱和电阻及功率选择范围方面的重大改进,极大地拓宽了此类器件的应用领域。恩智浦最新推出的SMD封装型中功率晶体管BISS4充分展示了双极晶体管的技术优势,它在为开关应用带来大功率低损耗解决方案的同时,也创造了新的应用领域。
关键词
双极晶体管
晶体管架构
BISS
VCesat
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
下一代低VCEsat双极晶体管
s.habenicht
D.Oelgeschlger
B.Scheffler
《电子产品世界》
2010
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