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下一代低VCEsat双极晶体管
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作者 s.habenicht D.Oelgeschlger B.Scheffler 《电子产品世界》 2010年第10期48-49,共2页
近年来,中功率双极晶体管在饱和电阻及功率选择范围方面的重大改进,极大地拓宽了此类器件的应用领域。恩智浦最新推出的SMD封装型中功率晶体管BISS4充分展示了双极晶体管的技术优势,它在为开关应用带来大功率低损耗解决方案的同时,也创... 近年来,中功率双极晶体管在饱和电阻及功率选择范围方面的重大改进,极大地拓宽了此类器件的应用领域。恩智浦最新推出的SMD封装型中功率晶体管BISS4充分展示了双极晶体管的技术优势,它在为开关应用带来大功率低损耗解决方案的同时,也创造了新的应用领域。 展开更多
关键词 双极晶体管 晶体管架构 BISS VCesat
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