氟化Si(100)表面的结构研究(英文)

用He原子衍射研究了氟化Si(100)表面的结构。由He衍射测定表明Si的悬空键是氟吸附的位置。F_2与Si(100)2×1反应并不扰乱Si-Si二聚键,在F_2入射平动能低时反应实际上在氟的复盖度为一个单层上停止进行。提高F_2入射平动能可经活化而使F_2与氟化的表面进一步反应,而且在高能F_2暴露后观察到无序的表面结构。