如何确定功率MOSFET的适用性

功率金属氧化半导体场效应晶体管（Power MOSFET）是当今电源中广泛使用的开关器件。功率MOSFET的工作频率不断提高，以减小器件尺寸和提高功率密度。这样就会增加电流变化率（di／dt），增强了寄生电感的负面作用，导致功率MOSFET源极和漏极之间产生很高的电压尖峰。这种尖峰电压在器件上电时更为严重，因为在上电瞬间变压器的初级电感几乎达到漏感的水平，同时器件的体电容还未完成充电且电感较小。幸好功率MOSFET具有一定的抗过压能力，因此无需外加成本高昂的保护电路。

在500V电压等级的AC／DC应用中最优化平面型MOSFET与超大结MOSFET的竞争

仙童公司(Fairchild)面向开关电源市场推出了一款新型最优化高速平面型MOSFET,与通常的500V电压等级的MOSFET相比,它可以降低全方位的损耗。与市场上的超大结面积型的MOSFET相比,这种MOSFET 可以减少开关损耗。而和通常的标准MOSFET器件相比,它的导通损耗则大大降低。因此这种500V电压等级的MOSFET可以和一部分超大结面积型MOSFET展开市场争夺方面的竞争。