InGaN基发光二极管和激光二极管(英文)

在InGaN发光二极管中 ,尽管存在着大量的位错 ,但其效率还是相当高的。用InGaN作为有源层是很重要的。在InGaN基LED的情况下 ,为产生光发射需要较高的激发功率。横向大面积外延生长的GaN激光二极管 (LDs)是在厚的GaN衬底上外延制备成的。在温度 2 5 0℃、30mW输出的连续工作状态下 ,其工作电流小于 4 2mA ,6 0 0℃、30mW输出的连续工作状态下的寿命约为1 5 0 0 0小时。这些结果表明 ,螺旋位错密度的降低延长了激光二极管的寿命。此外 ,良好的散热也是很重要的。

InGaN基发光二极管和激光二极管(英文)

在InGaN发光二极管中 ,尽管存在着大量的位错 ,但其效率还是相当高的。用InGaN作为有源层是很重要的。在InGaN基LED的情况下 ,为产生光发射需要较高的激发功率。横向大面积外延生长的GaN激光二极管 (LDs)是在厚的GaN衬底上外延制备成的。在温度 2 5 0℃、30mW输出的连续工作状态下 ,其工作电流小于 4 2mA ,6 0 0℃、30mW输出的连续工作状态下的寿命约为1 5 0 0 0小时。这些结果表明 ,螺旋位错密度的降低延长了激光二极管的寿命。此外 ,良好的散热也是很重要的。

利用常间回文重复序列丛集介导的基因编辑评估Tet2和甲基转移酶3a在克隆性造血和心血管病中的作用

克隆性血细胞生成与死亡率、心血管病发生率增加有关。这种情况可能是由于造血干/祖细胞（hematopoietic stem/progenitor cells,HSPC）内的前白血病驱动基因的体细胞突变引起的。大约有40个候选驱动基因已被确定出来,但有研究证明在这些基因中,仅一个基因[10-11易位-2（TET2）]的突变在大鼠模型中可导致心血管病。