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PECVD氮化硅微结构与氧化硅衬底间引力的研究
1
作者
sche.
,
pr
闫萍
《山东半导体技术》
1993年第3期23-30,共8页
关键词
氮化硅
氧化硅
PECVD
薄膜
下载PDF
职称材料
题名
PECVD氮化硅微结构与氧化硅衬底间引力的研究
1
作者
sche.
,
pr
闫萍
出处
《山东半导体技术》
1993年第3期23-30,共8页
关键词
氮化硅
氧化硅
PECVD
薄膜
分类号
TN304.205 [电子电信—物理电子学]
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作者
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1
PECVD氮化硅微结构与氧化硅衬底间引力的研究
sche.
,
pr
闫萍
《山东半导体技术》
1993
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