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一种用于制备纳米SiC/Si_3N_4复合粉体的CVD新工艺的热力学分析(英文)
1
作者
全学军
shoichikimura
《中国粉体技术》
CAS
2000年第6期14-20,共7页
综述了SiC/Si3 N4 复合粉体的力学性能和制备方法 ,提出了一种制备纳米级SiC/Si3 N4 复合粉体的新方法 。
关键词
碳化硅
氮化硅
复合粉体
化学气相沉积工艺
热力学分析
复合陶瓷
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职称材料
题名
一种用于制备纳米SiC/Si_3N_4复合粉体的CVD新工艺的热力学分析(英文)
1
作者
全学军
shoichikimura
机构
四川大学(西区)粉体研究所
俄勒冈州立大学
出处
《中国粉体技术》
CAS
2000年第6期14-20,共7页
文摘
综述了SiC/Si3 N4 复合粉体的力学性能和制备方法 ,提出了一种制备纳米级SiC/Si3 N4 复合粉体的新方法 。
关键词
碳化硅
氮化硅
复合粉体
化学气相沉积工艺
热力学分析
复合陶瓷
Keywords
silicon carbide
silicon nitride
composite powder
CVD process
thermodynamic analysis
分类号
TB332 [一般工业技术—材料科学与工程]
TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]
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作者
出处
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1
一种用于制备纳米SiC/Si_3N_4复合粉体的CVD新工艺的热力学分析(英文)
全学军
shoichikimura
《中国粉体技术》
CAS
2000
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职称材料
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