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Problems and Properties of a Current Amplifier When Realized in Ultra Deep Sub-micron Technology
1
作者
simeon kostadinov
Ivan Uzunov
Dobromir Gaydazhiev
《通讯和计算机（中英文版）》
2017年第1期39-45,共7页
关键词
深亚微米技术
电流放大器
特性
短沟道效应
频率带宽
FET
长度
信道
下载PDF
职称材料
题名
Problems and Properties of a Current Amplifier When Realized in Ultra Deep Sub-micron Technology
1
作者
simeon kostadinov
Ivan Uzunov
Dobromir Gaydazhiev
机构
Smartcom Bulgaria AD
SmartLab AD
Smartcom Bulgaria AD
出处
《通讯和计算机（中英文版）》
2017年第1期39-45,共7页
关键词
深亚微米技术
电流放大器
特性
短沟道效应
频率带宽
FET
长度
信道
Keywords
Amplifiers, current mode operation, short-channel effects, MOSFET.
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN722.73 [电子电信—电路与系统]
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作者
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1
Problems and Properties of a Current Amplifier When Realized in Ultra Deep Sub-micron Technology
simeon kostadinov
Ivan Uzunov
Dobromir Gaydazhiev
《通讯和计算机（中英文版）》
2017
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