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用于先进的双嵌入和栓工艺的低缺陷钨CMP高性价比浆料(英文)
1
作者
Tun-YanLo
LIChung-Liu
+3 位作者
CHINHung-Chang
simonj.kirk
PhilippeChelle
AraiPeng
《电子工业专用设备》
2004年第6期16-21,共6页
介绍了用于钨双嵌入和钨栓CMP工艺的新型CMP3200TM氧化铝浆料,测试证明,这种浆料在110nm技术节点的钨CMP工艺应用中取得了理想的效果。通过对氧化铝粒子制造工艺的有效控制,获得了可满足110nm技术节点双嵌入和栓层钨CMP工艺要求的低缺陷...
介绍了用于钨双嵌入和钨栓CMP工艺的新型CMP3200TM氧化铝浆料,测试证明,这种浆料在110nm技术节点的钨CMP工艺应用中取得了理想的效果。通过对氧化铝粒子制造工艺的有效控制,获得了可满足110nm技术节点双嵌入和栓层钨CMP工艺要求的低缺陷率,高性价比的氧化铝蛐硝酸铁浆料。从而在价格竞争激烈的半导体制造领域,特别是代工市场引起了业界越来越多的关注。
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关键词
钨双嵌入工艺
钨栓工艺
CHP浆料
高性价比
低缺陷率
110nm技术节点
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职称材料
题名
用于先进的双嵌入和栓工艺的低缺陷钨CMP高性价比浆料(英文)
1
作者
Tun-YanLo
LIChung-Liu
CHINHung-Chang
simonj.kirk
PhilippeChelle
AraiPeng
机构
NanyaTechnologyCorp.
EKCTechnology(DuPontElectronicTechnologies)
WahLeeIndustrialCorp.
出处
《电子工业专用设备》
2004年第6期16-21,共6页
文摘
介绍了用于钨双嵌入和钨栓CMP工艺的新型CMP3200TM氧化铝浆料,测试证明,这种浆料在110nm技术节点的钨CMP工艺应用中取得了理想的效果。通过对氧化铝粒子制造工艺的有效控制,获得了可满足110nm技术节点双嵌入和栓层钨CMP工艺要求的低缺陷率,高性价比的氧化铝蛐硝酸铁浆料。从而在价格竞争激烈的半导体制造领域,特别是代工市场引起了业界越来越多的关注。
关键词
钨双嵌入工艺
钨栓工艺
CHP浆料
高性价比
低缺陷率
110nm技术节点
Keywords
W Damascene Processes
W Plugs Processes
CMP Slurry
Cost Effective
Low Defectivity
110 nm Technology Node
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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被引量
操作
1
用于先进的双嵌入和栓工艺的低缺陷钨CMP高性价比浆料(英文)
Tun-YanLo
LIChung-Liu
CHINHung-Chang
simonj.kirk
PhilippeChelle
AraiPeng
《电子工业专用设备》
2004
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