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室温全电可操作的InAs/GaAs量子点存储器
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作者 杜军 王卿璞 +1 位作者 Balocco C song a m 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期363-367,共5页
报道基于高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的InAs/GaAs量子点存储器,它既可以在室温下工作,又可以完全由栅极电压来控制其存储状态.在室温下通过对InAs/GaAs量子点存储器的延滞回线、偏压降温C-V等特性的实时测试,证明了其存储机理是由量... 报道基于高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的InAs/GaAs量子点存储器,它既可以在室温下工作,又可以完全由栅极电压来控制其存储状态.在室温下通过对InAs/GaAs量子点存储器的延滞回线、偏压降温C-V等特性的实时测试,证明了其存储机理是由量子点层的深能级引起的,而并非是由量子点本征能级的充、放电所造成的. 展开更多
关键词 1nAs/GaAs量子点 存储器 偏压降温 深能级
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