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Wafer scale direct-write of Ge and Si nanostructures with conducting stamps and a modified mask aligner
1
作者
Hid
e
ki Sato
stephanie e. vasko
Marco Rolandi
《Nano Research》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2013年第4期263-268,共6页
关键词
硅纳米结构
邮票
晶圆
光罩
导电
SI
Ge
半导体行业
原文传递
题名
Wafer scale direct-write of Ge and Si nanostructures with conducting stamps and a modified mask aligner
1
作者
Hid
e
ki Sato
stephanie e. vasko
Marco Rolandi
机构
Department of Materials Science and Engineering
Japan Patent Office
Department of Chemistry
出处
《Nano Research》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2013年第4期263-268,共6页
关键词
硅纳米结构
邮票
晶圆
光罩
导电
SI
Ge
半导体行业
Keywords
Ge,Si,nanolithography,microcontact printing,scanning probe lithography
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
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作者
出处
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1
Wafer scale direct-write of Ge and Si nanostructures with conducting stamps and a modified mask aligner
Hid
e
ki Sato
stephanie e. vasko
Marco Rolandi
《Nano Research》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2013
0
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