测定离子注入单晶损伤与应变的双晶(n^v,-n^v)排列方法

依据双晶摇摆曲线的形成原理,提出了一种高分辨率,高灵敏度的测定离子注入单晶损伤与应变的双晶(n^v,—n^v)排列方法。考虑到掠入射情形的色散效应,对掠射角的选择进行了讨论。对Ga注入Si单晶样品的测定证实了(n^v—n^v)排列的优越性,摇摆曲线上得到了未曾见过的细微振荡。