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基于FinFET的IC产品的设计和测试
被引量:
1
1
作者
Carey Robertson
steve pateras
《中国集成电路》
2016年第8期37-37,80,共2页
FinFET晶体管的兴起对IC物理设计和可测试性设计流程具有显著影响。引入FinFET意味着在IC设计流程中,CMOS晶体管必须建模为三维(3D)器件,
关键词
FINFET
IC产品
设计流程
可测试性
CMOS晶体管
物理设计
器件
下载PDF
职称材料
题名
基于FinFET的IC产品的设计和测试
被引量:
1
1
作者
Carey Robertson
steve pateras
机构
Mentor Graphics公司
出处
《中国集成电路》
2016年第8期37-37,80,共2页
文摘
FinFET晶体管的兴起对IC物理设计和可测试性设计流程具有显著影响。引入FinFET意味着在IC设计流程中,CMOS晶体管必须建模为三维(3D)器件,
关键词
FINFET
IC产品
设计流程
可测试性
CMOS晶体管
物理设计
器件
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
基于FinFET的IC产品的设计和测试
Carey Robertson
steve pateras
《中国集成电路》
2016
1
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