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采用简化多晶硅TFT工艺的有源矩阵OLED显示器件
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作者 Yong In Park Tae Jun Ahn +5 位作者 sung ki kim Jae Yong Park Juhn S.Yoo Chang Yeon kim Chang Dong kim 孙海涛 《现代显示》 2003年第6期20-23,共4页
我们提出并开发了一种先进的6步光掩模工艺,可用于制备有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)中p型沟道多晶硅薄膜晶体管(TFT)面板。通过去除电源线(Vdd)和触排(bank)光处理工艺,将8步掩模简化至6步。通过6步光掩模工艺制备的p型沟道TFT,场效... 我们提出并开发了一种先进的6步光掩模工艺,可用于制备有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)中p型沟道多晶硅薄膜晶体管(TFT)面板。通过去除电源线(Vdd)和触排(bank)光处理工艺,将8步掩模简化至6步。通过6步光掩模工艺制备的p型沟道TFT,场效应迁移率可达80cm2/Vsec,亚阈值(sub-threshold)电压波动降至0.3V/dec,阈值电压约为-2V。利用6步光掩模工艺成功地获得了采用电压驱动方式的7英寸WVGA(720×480)AMOLED面板。 展开更多
关键词 光掩模 AMOLED 有源矩阵有机发光二极管 多晶硅薄膜晶体管 TFT
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