最新技术的穿通(PT)型IGBT与功率MOSFET的比较

比较了最新一代穿通型绝缘栅双极型晶体管(简称PT IGBTs)和功率MOS 7的开关特性和通态损耗特性;简述了PT IGBT的结构。由于独特的条状结构和功率MOSFET的金属门极,使得穿通型IGB了和功率MOSFETs器件在特性上有一些不同。在很多情况下,尤其是在桥式电路中,这类IGBT能提供更低成本和更出色的性能,从而替代了高压功率MOSFET。