基于硅的锗外延技术实现高性能CMOS器件

相对于采用选择性锗硅外延的应变硅而言,基于锗工艺制造的 PMOS 能够进一步提高其驱动能力。将适当的锗前驱物安装在标准硅外延设备上就可以生产锗硅(GOS)晶圆。