初级纵向集成电路的制造工艺、应用和未来(二)

4 电路技术为实现ELVIC (初级纵向集成电路),重要的是减少VI (纵向互连)数和VI 的面积,以使集成密度更高.而且制造成品率及器件的可靠性也明显地改善.这一节,研究使内CMOSELVIC 的VI 数最小.图4表示的有3级输出缓冲器电路的两层31级内CMOS 环形振荡器有36个10×10μm^2面积的金-钛纵向互连.应该注意,一个单一的反相器级使用一个纵向互连.就是把同一级的p 沟和n 沟的MOS FET 的漏端用单一的VI 连接起来.这种思想可以扩展到其它的内CMOS 逻辑门.图8证明,使用单一的VI 也可以制造出用于逻辑电路中的2输入NAND 门.同样。