深槽和阱邻近效应对MOSFET性能的影响

开发测试结构是为了实现深槽和阱邻近效应在0.13μm间距工艺中对MOSFET影响的量化。本文分析了两类结构:深槽和阱边缘一起变化以及这些边缘单独变化。测量结果表明,深槽和阱邻近效应能够影响器件性能。