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CdSe/CdZnSe超晶格的激子光学性质的研究 被引量:3
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作者 张希清 梅增霞 +4 位作者 段宁 徐征 王永生 徐叙瑢 tang z k 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期114-117,共4页
用分子束外延法在GaAs衬底上生长了CdSe Cd0 .65Zn0 .3 5Se超晶格结构。利用X射线衍射 (XRD)、77K下变密度激发的光致发光光谱和变温度光致发光光谱研究了CdSe CdZnSe超晶格结构和激光复合特性 ,在该材料中观测到激子激子散射发射峰 ,... 用分子束外延法在GaAs衬底上生长了CdSe Cd0 .65Zn0 .3 5Se超晶格结构。利用X射线衍射 (XRD)、77K下变密度激发的光致发光光谱和变温度光致发光光谱研究了CdSe CdZnSe超晶格结构和激光复合特性 ,在该材料中观测到激子激子散射发射峰 ,变密度激发光致发光光谱和变温度光致发光光谱证实了这一现象。激子发射峰的线宽随着温度的升高而展宽 ,低温时发光峰的宽度主要是由合金组分和阱垒起伏引起的 ,高温时激子线宽展宽是由于激子与纵光学声子和离化的施主杂质间的散射作用引起的 ,光致发光的强度随着温度的升高而降低 ,这主要是由激子的热离化造成的 ,也就是说 。 展开更多
关键词 光学性质 激子 超晶格 CdSe/CdZnSe 硒比镉 锌镉硒 半导体
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