陶瓷粉末靶与陶瓷块状靶溅射制备PZT薄膜的性能比较

介绍了RF溅射冷压法制备的PZT陶瓷粉末靶和块状靶制取PZT薄膜的过程。二种方法避开了热压法制作PZT陶瓷块状靶的复杂工艺及昂贵设备 ,均能获得化学成分稳定的钙钛矿结构PZT铁电薄膜 ;用粉末靶制取的薄膜的热处理温度比块状靶低 2 0 0℃ ;用块状靶制取的薄膜具有清晰的晶粒 ,较好的化学配比、电性能及高的密度 ;用粉末靶未见有明显的晶粒 ,存在玻璃质 ,其化学配比与源材料相比有较大差异 ,电性能也略为逊色。