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对高纯度硅烷中气态杂质和金属杂质的纯化技术和分析方法
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作者 tayl.,pa 李承耀 《低温与特气》 CAS 1996年第3期43-49,54,共8页
对高纯度硅烷中气态杂质和金属杂质的纯化技术和分析方法ＰａｔｒｉｃｋＡＴａｙｌｏｒ半导体制造商已经长期用硅烷制成硅的薄膜或者硅化合物。将来更高集成度的和更复杂的集成电路，以及如光生伏打电池等新器件，都要求硅烷有非常高的... 对高纯度硅烷中气态杂质和金属杂质的纯化技术和分析方法ＰａｔｒｉｃｋＡＴａｙｌｏｒ半导体制造商已经长期用硅烷制成硅的薄膜或者硅化合物。将来更高集成度的和更复杂的集成电路，以及如光生伏打电池等新器件，都要求硅烷有非常高的纯度，其规定杂质为１０－１２（ｐｐ... 展开更多
关键词 硅烷 气态杂质 金属杂质 纯化
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