在聚焦离子束系统中进行集成电路显微探测的应用实例研究

在模拟集成电路的设计开发中，需要对集成电路芯片内部信号的时序和电平进行精确的测量。这在过去是以光学显微镜和微型机械探针相结合的机械显微探测法来实现的。但是，对于当今半导体技术下的集成电路内部微小线宽互连几何结构，光学显微镜已无法提供足够的图象分辨率且无法保证探针的准确放置。而更小几何尺寸半导体工艺的进一步发展却要求探测工具具有越来越高的探针放置精度和空间分辨率。应用微型机械探针和聚焦离子束扫描离子显微镜相结合的新的机械探测技术，已经在这一领域进行了一些实例研究。本文重点阐述在一模数混合信号器件设计开发过程中，从芯片内部调试获取一个需10纳秒延时的60OmV模拟电压跃升信号的应用实例研究。

在聚焦离子束系统中进行集成电路显微探测的应用实例研究

在模拟集成电路的设计开发中，需要对集成电路芯片内部信号的时序和电平进行精确的测量。这在过去是以光学显微镜和微型机械探针相结合的机械显微探测法来实现的，但是，对于当今半导体技术下的集成电路内部微小线宽互连几何结构，光学显微镜已无法提供足够的图像分辨率且无法保证探针的准确放置，面更小几何尺寸半导体工艺的进一步发展却要求探测工具具有越来越高的探针放置精度和空间分辨率，应用微型机械探针和聚焦离子束扫描离子显微镜相结合的新的机械探测技术，已经在这一领域进行了一些实例研究。本文重点阐述在一模数混合信号器件设计开发过程中，从芯片内部调试获取一人需10纳秒延时的600mV模拟电压跃升信号的应用实例研究。