用于下一代功率模块中的新一代硅片设计

受益于快速发展的硅片工艺,IGBT硅片和二极管硅片的性能得到了显著提高并且日趋接近其理论极限。三菱电机通过采用新的硅片技术,已经可以进一步降低功率器件的功率损耗。这里介绍了该新硅片技术中的微细图形工艺和优化杂质分布后新的硅片结构。

下一代功率模块用新型1.7kV CSTBT^(TM)(Ⅲ)

功率模块用最新的IGBT性能已有了显著提高,且已经非常接近物理极限。作为下一代IGBT功率模块,我们已经在1.2kV级别上提出了CSTBT^(TM)(Ⅲ)的概念,主要体现为精细加工的沟槽栅结构和CS层(载流子存储层)倒退型掺杂分布。基于CSTBT^(TM)(Ⅲ)的概念,我们优化了1.7kV级的MOS结构,同时改进了为发射极电极表面新开发的平坦化技术,以扩大功率循环能力。