1200V、550A碳化硅DMOSFET对偶模块的特性

碳化硅[SiC]优越的材料性质为电力电子器件提供了比传统的硅基器件更优越的性能。最近开发了一种1200V、50A的SiC DMOSFET已用于开关电路。在此基础上,又研制了一种1200V,550A完全用SiC的对偶模块。本文阐述其中每个开关用11个SiC DMOSFET和11个SiC JBS*组成的先进对偶模块的实验特性。