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采用中性原子束的纳米制作
1
作者
thyw.
,
jh
江舟
《国外核聚变与等离子体应用》
1999年第2期54-61,共8页
我们综述中性原子刻蚀。nm大小的器件、大面积平行沉积和有效抗蚀剂的结合证实了原子作为刻蚀的元件大有希望。我们证明,用几种抗蚀剂,其中包括Au上的链烷硫醇盐的自组合单层和SiO2上的烷基硅氧烷的自组织单层,以及从蒸汽沉...
我们综述中性原子刻蚀。nm大小的器件、大面积平行沉积和有效抗蚀剂的结合证实了原子作为刻蚀的元件大有希望。我们证明,用几种抗蚀剂,其中包括Au上的链烷硫醇盐的自组合单层和SiO2上的烷基硅氧烷的自组织单层,以及从蒸汽沉积的“污染”抗蚀剂,把70nm宽的器件从一个中性原子束转换到基体中。与光子和电子不同,具有亚稳态中的惰性气体原子具有易操作的内部状态结构。
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关键词
中性原子束
刻蚀
纳米制作
原子光学
电子器件
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题名
采用中性原子束的纳米制作
1
作者
thyw.
,
jh
江舟
出处
《国外核聚变与等离子体应用》
1999年第2期54-61,共8页
文摘
我们综述中性原子刻蚀。nm大小的器件、大面积平行沉积和有效抗蚀剂的结合证实了原子作为刻蚀的元件大有希望。我们证明,用几种抗蚀剂,其中包括Au上的链烷硫醇盐的自组合单层和SiO2上的烷基硅氧烷的自组织单层,以及从蒸汽沉积的“污染”抗蚀剂,把70nm宽的器件从一个中性原子束转换到基体中。与光子和电子不同,具有亚稳态中的惰性气体原子具有易操作的内部状态结构。
关键词
中性原子束
刻蚀
纳米制作
原子光学
电子器件
分类号
TN405.98 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
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1
采用中性原子束的纳米制作
thyw.
,
jh
江舟
《国外核聚变与等离子体应用》
1999
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