GaN功率技术引发电子转换的革命

引言当市场上还未有功率MOSFET的时候，双极性晶体管是重要的功率电子产品，另一方面，线性供电支配着电源世界。到了30年前，包括已经成为IR商标的HEXFET在内的商用硅HEXFET推出市场。

基于GaN的功率技术引发电子转换革命

面对即将发生的技术变革,国际整流器公司(简称IR)研发人员研制出具有创新意义的基于氮化镓(GaN)的功率器件技术平台。该技术保证其性能指数(FOM)可以比现在最先进的硅MOSFET优越10倍以上。这些已商业化的基于GaN的功率器件将带来崭新的解决方案,使市场出现能够提供高密度、高效率且符合成本效益的革命性功率转换技术。