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高可靠性IGBT模块封装的设计
被引量:
5
1
作者
Yoshitaka Nishimura
Kazunaga Oonishi
+2 位作者
Fumihiko Momose
tomoaki goto
袁海斌(译)
《电力电子》
2010年第4期62-66,共5页
本文给出了当前的IGBT模块封装设计的原则,重点是封装结构和可靠性之间的关系,特别是温度循环性能。复杂的IGBT模块内部含有不同的材料。因为不同的热膨胀系数,层间介面处的物理损坏会伴随着一系列温度循环而不断累积。IGBT模块的寿命...
本文给出了当前的IGBT模块封装设计的原则,重点是封装结构和可靠性之间的关系,特别是温度循环性能。复杂的IGBT模块内部含有不同的材料。因为不同的热膨胀系数,层间介面处的物理损坏会伴随着一系列温度循环而不断累积。IGBT模块的寿命周期主要依赖于其材料的组合和结构设计上。作为一种尝试,本文针对未来IGBT在较高的运行温度下的可能性,谈到了当前的热优化设计和键合技术研究。
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关键词
IGBT模块
高可靠性
封装设计
模块封装
温度循环
热膨胀系数
封装结构
循环性能
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职称材料
题名
高可靠性IGBT模块封装的设计
被引量:
5
1
作者
Yoshitaka Nishimura
Kazunaga Oonishi
Fumihiko Momose
tomoaki goto
袁海斌(译)
机构
不详
北京航空航天大学自动化与电气工程学院
出处
《电力电子》
2010年第4期62-66,共5页
文摘
本文给出了当前的IGBT模块封装设计的原则,重点是封装结构和可靠性之间的关系,特别是温度循环性能。复杂的IGBT模块内部含有不同的材料。因为不同的热膨胀系数,层间介面处的物理损坏会伴随着一系列温度循环而不断累积。IGBT模块的寿命周期主要依赖于其材料的组合和结构设计上。作为一种尝试,本文针对未来IGBT在较高的运行温度下的可能性,谈到了当前的热优化设计和键合技术研究。
关键词
IGBT模块
高可靠性
封装设计
模块封装
温度循环
热膨胀系数
封装结构
循环性能
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高可靠性IGBT模块封装的设计
Yoshitaka Nishimura
Kazunaga Oonishi
Fumihiko Momose
tomoaki goto
袁海斌(译)
《电力电子》
2010
5
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职称材料
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