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掩埋异质结构DFB激光器的液相外延生长
1
作者
toshihiro kusunoki
张瑞华
《半导体情报》
1989年第4期34-41,共8页
采用液相外延方法制作了平坦表面掩埋异质结构分布反馈激光器二极管。要改进激光器的特性,需要解决三方面的困难。第一个困难是在波纹上面的InGaAsP光波导层内形成许多小坑。另外两个困难是波纹的热变形以及沿台面边缘流动的漏泄电流。...
采用液相外延方法制作了平坦表面掩埋异质结构分布反馈激光器二极管。要改进激光器的特性,需要解决三方面的困难。第一个困难是在波纹上面的InGaAsP光波导层内形成许多小坑。另外两个困难是波纹的热变形以及沿台面边缘流动的漏泄电流。采用氧等离子体工艺清洁波纹表面解决了第一个困难。采用表面粗糙的GaAs平板片覆盖住波纹,减少了波纹的热变形。用一种新型腐蚀剂腐蚀台面,减小了漏泄电流。
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关键词
掩埋异质结构
液相外延生长
DFB激光器
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职称材料
题名
掩埋异质结构DFB激光器的液相外延生长
1
作者
toshihiro kusunoki
张瑞华
出处
《半导体情报》
1989年第4期34-41,共8页
文摘
采用液相外延方法制作了平坦表面掩埋异质结构分布反馈激光器二极管。要改进激光器的特性,需要解决三方面的困难。第一个困难是在波纹上面的InGaAsP光波导层内形成许多小坑。另外两个困难是波纹的热变形以及沿台面边缘流动的漏泄电流。采用氧等离子体工艺清洁波纹表面解决了第一个困难。采用表面粗糙的GaAs平板片覆盖住波纹,减少了波纹的热变形。用一种新型腐蚀剂腐蚀台面,减小了漏泄电流。
关键词
掩埋异质结构
液相外延生长
DFB激光器
分类号
TN248 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
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1
掩埋异质结构DFB激光器的液相外延生长
toshihiro kusunoki
张瑞华
《半导体情报》
1989
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