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用于嵌入式电容的高K绝缘材料
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作者 toshihisa Nonaka 李桂云(编译) 《现代表面贴装资讯》 2006年第1期32-37,共6页
本文对粒子尺寸的分布控制和分散剂进行了研究,并采用抑制孔隙度增量的方法实施了往环氧树脂中添加大于79vol%的BaTiO3填料的工艺。在1MHz下10μm厚膜的介电常数为115,这一数据与大于10nF/cm^2的电容密度一致。在评估45MHz-10GHz时... 本文对粒子尺寸的分布控制和分散剂进行了研究,并采用抑制孔隙度增量的方法实施了往环氧树脂中添加大于79vol%的BaTiO3填料的工艺。在1MHz下10μm厚膜的介电常数为115,这一数据与大于10nF/cm^2的电容密度一致。在评估45MHz-10GHz时,在10GHz下获得的介电常数为100。对于填料表面的化学态评估,这种评估是采用FT-IR光谱分析实施的,评估结果说明填料表面吸水增加了介电损耗。在添加了分散剂和树脂成分以及在优化了固化条件后,在1MHz下,复合材料的介电损耗为0.02。对温度与介电常数的关系曲线线进行了评估,而结果显示值小。还对复合材料的激光导通孔的形成工艺进行了检测。在10μm厚的膜中可生成100μm直径的导通孔已得到了确认。通过对膜的应力测试而获得的复合材料的共面热膨胀系数为17ppm/℃。该值与Cu的热膨胀系数吻合。对弹性模量进行了测量,发现填料在75vol%下时为18GPa。 展开更多
关键词 嵌入式电容 SIP 高K
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