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用于嵌入式电容的高K绝缘材料
1
作者
toshihisa
Nonaka
李桂云(编译)
《现代表面贴装资讯》
2006年第1期32-37,共6页
本文对粒子尺寸的分布控制和分散剂进行了研究,并采用抑制孔隙度增量的方法实施了往环氧树脂中添加大于79vol%的BaTiO3填料的工艺。在1MHz下10μm厚膜的介电常数为115,这一数据与大于10nF/cm^2的电容密度一致。在评估45MHz-10GHz时...
本文对粒子尺寸的分布控制和分散剂进行了研究,并采用抑制孔隙度增量的方法实施了往环氧树脂中添加大于79vol%的BaTiO3填料的工艺。在1MHz下10μm厚膜的介电常数为115,这一数据与大于10nF/cm^2的电容密度一致。在评估45MHz-10GHz时,在10GHz下获得的介电常数为100。对于填料表面的化学态评估,这种评估是采用FT-IR光谱分析实施的,评估结果说明填料表面吸水增加了介电损耗。在添加了分散剂和树脂成分以及在优化了固化条件后,在1MHz下,复合材料的介电损耗为0.02。对温度与介电常数的关系曲线线进行了评估,而结果显示值小。还对复合材料的激光导通孔的形成工艺进行了检测。在10μm厚的膜中可生成100μm直径的导通孔已得到了确认。通过对膜的应力测试而获得的复合材料的共面热膨胀系数为17ppm/℃。该值与Cu的热膨胀系数吻合。对弹性模量进行了测量,发现填料在75vol%下时为18GPa。
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关键词
嵌入式电容
SIP
高K
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职称材料
题名
用于嵌入式电容的高K绝缘材料
1
作者
toshihisa
Nonaka
李桂云(编译)
机构
Toray Industries
出处
《现代表面贴装资讯》
2006年第1期32-37,共6页
基金
此项研究得到了新能源和工业技术开发机构(NED0)的关键技术研究促进项目的支持.作者在此向M.Kobune博士在评估无机填料方面的探讨中给预的支持和Y.Izumi女士对FT-IR研究方面的支持表示感谢.
文摘
本文对粒子尺寸的分布控制和分散剂进行了研究,并采用抑制孔隙度增量的方法实施了往环氧树脂中添加大于79vol%的BaTiO3填料的工艺。在1MHz下10μm厚膜的介电常数为115,这一数据与大于10nF/cm^2的电容密度一致。在评估45MHz-10GHz时,在10GHz下获得的介电常数为100。对于填料表面的化学态评估,这种评估是采用FT-IR光谱分析实施的,评估结果说明填料表面吸水增加了介电损耗。在添加了分散剂和树脂成分以及在优化了固化条件后,在1MHz下,复合材料的介电损耗为0.02。对温度与介电常数的关系曲线线进行了评估,而结果显示值小。还对复合材料的激光导通孔的形成工艺进行了检测。在10μm厚的膜中可生成100μm直径的导通孔已得到了确认。通过对膜的应力测试而获得的复合材料的共面热膨胀系数为17ppm/℃。该值与Cu的热膨胀系数吻合。对弹性模量进行了测量,发现填料在75vol%下时为18GPa。
关键词
嵌入式电容
SIP
高K
分类号
TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]
TM21 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于嵌入式电容的高K绝缘材料
toshihisa
Nonaka
李桂云(编译)
《现代表面贴装资讯》
2006
0
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职称材料
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