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金属沾污对超薄栅氧(2 .5nm)特性的影响(英文)
被引量:
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作者
王刘坤
twan bearda
+5 位作者
Karine Kenis
Sophia Arnauts
Patrick Van Doorne
陈寿面
Paul Mertens
Marc Heyns
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期502-507,共6页
采用可控的金属沾污程序 ,最大金属表面浓度控制在 10 1 2 cm- 2数量级 ,来模拟清洗工艺最大可能金属沾污表面浓度 .利用斜坡电流应力和栅注入方式测量本征电荷击穿来评估超薄栅氧特性和金属沾污效应 .研究了金属锆和钽沾污对超薄栅氧...
采用可控的金属沾污程序 ,最大金属表面浓度控制在 10 1 2 cm- 2数量级 ,来模拟清洗工艺最大可能金属沾污表面浓度 .利用斜坡电流应力和栅注入方式测量本征电荷击穿来评估超薄栅氧特性和金属沾污效应 .研究了金属锆和钽沾污对超薄栅氧完整性的影响 .实验结果表明金属锆沾污对超薄栅氧完整性具有最严重危害 ;金属钽沾污的栅氧发生早期击穿现象 ,而金属铝沾污对超薄栅氧完整性没有明显影响 .
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关键词
栅氧完整性
金属沾污
本征电荷击穿
斜坡电流应力
MOS电容器
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职称材料
题名
金属沾污对超薄栅氧(2 .5nm)特性的影响(英文)
被引量:
1
1
作者
王刘坤
twan bearda
Karine Kenis
Sophia Arnauts
Patrick Van Doorne
陈寿面
Paul Mertens
Marc Heyns
机构
上海集成电路研发中心
Interuniversity Microe lectronics Center
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期502-507,共6页
文摘
采用可控的金属沾污程序 ,最大金属表面浓度控制在 10 1 2 cm- 2数量级 ,来模拟清洗工艺最大可能金属沾污表面浓度 .利用斜坡电流应力和栅注入方式测量本征电荷击穿来评估超薄栅氧特性和金属沾污效应 .研究了金属锆和钽沾污对超薄栅氧完整性的影响 .实验结果表明金属锆沾污对超薄栅氧完整性具有最严重危害 ;金属钽沾污的栅氧发生早期击穿现象 ,而金属铝沾污对超薄栅氧完整性没有明显影响 .
关键词
栅氧完整性
金属沾污
本征电荷击穿
斜坡电流应力
MOS电容器
Keywords
gate oxide integrity
metal contamination
charge to breakdown
ramped current stress
MOS capacitor
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
金属沾污对超薄栅氧(2 .5nm)特性的影响(英文)
王刘坤
twan bearda
Karine Kenis
Sophia Arnauts
Patrick Van Doorne
陈寿面
Paul Mertens
Marc Heyns
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
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