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为耐用和可靠而设计的4.5kV压接式封装IGBT
被引量:
3
1
作者
S.埃克尔
M.雷西莫
+4 位作者
E.齐普拉柯夫
D
.施
内德
u.施拉普巴赫
E.卡洛尔
梁苏军
《电力电子》
2004年第6期27-32,共6页
介绍了额定电压达4500V、额定电流达2000A的新型压接式封装IGBT(PPI)。在这种新器件的开发期间,特别强调系统制造商易于使用的可选用性。为了便于把压接式封装的IGBT紧固在长的骨架上,其机械设计是精心优化的。即使在骨架上的紧固会发...
介绍了额定电压达4500V、额定电流达2000A的新型压接式封装IGBT(PPI)。在这种新器件的开发期间,特别强调系统制造商易于使用的可选用性。为了便于把压接式封装的IGBT紧固在长的骨架上,其机械设计是精心优化的。即使在骨架上的紧固会发生某些不均匀现象,这种压接式封装的IGBT由于其独特的设计,对每个芯片都用单独的压针压紧,因而它们都会发挥其完善的功能。进而,材料的选择也得到优化,以保证在野外也能达到极高的可靠性。在功率循环次数及在故障情况下运行之间的折中平衡点亦已被推向新的限界。这里的IGBT和二极管二者的芯片都是基于SPT(软穿通)技术。先进的IGBT平面元胞设计同二极管精密的寿命控制工程相结合,这样的芯片就具备了崭新的安全工作区。这就大大便利了系统设计,使原先使用的夹具或减振器成为过时。
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关键词
IGBT
压接式封装
压接式封装IGBT
功率循环
短路失效模式
模块化率
安全工作区
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职称材料
为耐用和可靠而设计的4.5kV压接式封装IGBT(英文)
被引量:
1
2
作者
S.埃克尔
M.雷西莫
+3 位作者
E.齐普拉柯夫
D
.施
内德
u.施拉普巴赫
E.卡洛尔
《电力电子》
2004年第5期56-63,共8页
介绍了额定电压达4500V、额定电流达2000A的新型压接式封装IGBT(PPI)。在这种新器件的开发期间,特别强调系统制造商易于使用的可选用性。为了便于把压接式封装的IGBT紧固在长的骨架上,其机械设计是精心优化的。即使在骨架上的紧固会发...
介绍了额定电压达4500V、额定电流达2000A的新型压接式封装IGBT(PPI)。在这种新器件的开发期间,特别强调系统制造商易于使用的可选用性。为了便于把压接式封装的IGBT紧固在长的骨架上,其机械设计是精心优化的。即使在骨架上的紧固会发生某些不均匀现象,这种压接式封装的IGBT因其独特的设计,对每个芯片都用单独的压针压紧,因而它们都会发挥其完善的功能。进而,材料的选择也得到优化,以保证在野外也能达到极高的可靠性。在功率循环次数及在故障情况下运行之间的折衷平衡点亦已被推向新的限界。这里的IGBT和二极管二者的芯片都基于SPT(软穿通)技术。先进的IGBT平面元胞设计与二极管精密的寿命控制工程相结合,这样的芯片就具备了崭新的安全工作区。这就大大便利了系统的设计,使原先使用的夹具或减振器成为过时。
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关键词
IGBT
压接式封装
压接式封装IGBT
功率循环
短路失效模式
模块化率
安全工作区
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职称材料
题名
为耐用和可靠而设计的4.5kV压接式封装IGBT
被引量:
3
1
作者
S.埃克尔
M.雷西莫
E.齐普拉柯夫
D
.施
内德
u.施拉普巴赫
E.卡洛尔
梁苏军
机构
ABB公司半导体分部
北京国安电气总公司
出处
《电力电子》
2004年第6期27-32,共6页
文摘
介绍了额定电压达4500V、额定电流达2000A的新型压接式封装IGBT(PPI)。在这种新器件的开发期间,特别强调系统制造商易于使用的可选用性。为了便于把压接式封装的IGBT紧固在长的骨架上,其机械设计是精心优化的。即使在骨架上的紧固会发生某些不均匀现象,这种压接式封装的IGBT由于其独特的设计,对每个芯片都用单独的压针压紧,因而它们都会发挥其完善的功能。进而,材料的选择也得到优化,以保证在野外也能达到极高的可靠性。在功率循环次数及在故障情况下运行之间的折中平衡点亦已被推向新的限界。这里的IGBT和二极管二者的芯片都是基于SPT(软穿通)技术。先进的IGBT平面元胞设计同二极管精密的寿命控制工程相结合,这样的芯片就具备了崭新的安全工作区。这就大大便利了系统设计,使原先使用的夹具或减振器成为过时。
关键词
IGBT
压接式封装
压接式封装IGBT
功率循环
短路失效模式
模块化率
安全工作区
Keywords
IGBT
press pack
PPI
power cycling
SCFM
modularity
safe operating area
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
为耐用和可靠而设计的4.5kV压接式封装IGBT(英文)
被引量:
1
2
作者
S.埃克尔
M.雷西莫
E.齐普拉柯夫
D
.施
内德
u.施拉普巴赫
E.卡洛尔
机构
ABB公司半导体分部
出处
《电力电子》
2004年第5期56-63,共8页
文摘
介绍了额定电压达4500V、额定电流达2000A的新型压接式封装IGBT(PPI)。在这种新器件的开发期间,特别强调系统制造商易于使用的可选用性。为了便于把压接式封装的IGBT紧固在长的骨架上,其机械设计是精心优化的。即使在骨架上的紧固会发生某些不均匀现象,这种压接式封装的IGBT因其独特的设计,对每个芯片都用单独的压针压紧,因而它们都会发挥其完善的功能。进而,材料的选择也得到优化,以保证在野外也能达到极高的可靠性。在功率循环次数及在故障情况下运行之间的折衷平衡点亦已被推向新的限界。这里的IGBT和二极管二者的芯片都基于SPT(软穿通)技术。先进的IGBT平面元胞设计与二极管精密的寿命控制工程相结合,这样的芯片就具备了崭新的安全工作区。这就大大便利了系统的设计,使原先使用的夹具或减振器成为过时。
关键词
IGBT
压接式封装
压接式封装IGBT
功率循环
短路失效模式
模块化率
安全工作区
Keywords
IGBT
press pack
PPI
power cycling
SCFM
modularity
safe operating area
分类号
TN77 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
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1
为耐用和可靠而设计的4.5kV压接式封装IGBT
S.埃克尔
M.雷西莫
E.齐普拉柯夫
D
.施
内德
u.施拉普巴赫
E.卡洛尔
梁苏军
《电力电子》
2004
3
下载PDF
职称材料
2
为耐用和可靠而设计的4.5kV压接式封装IGBT(英文)
S.埃克尔
M.雷西莫
E.齐普拉柯夫
D
.施
内德
u.施拉普巴赫
E.卡洛尔
《电力电子》
2004
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