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调制掺杂Al_(0.27)Ga_(0.73)As/GaAs多量子阱结构的光致发光 被引量：2
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作者 程兴奎 CHINV.W.L. +3 位作者 OSOTCHANT. TANSYEYT.L. vaughanm.r. GRIFFITHSG.J. 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期345-349,共5页
在调制掺杂（Si）Al0.27Ga0.73As／GaAs多量子阱结构的光致发光谱中，观测到一个强发光峰及多个低能弱发光峰．强发光峰是量子阱中基态电子与重空穴复合，即激子复合形成的，其低温发光线形可用Voigt函数拟合.低能弱峰是势垒层Al0.27Ga0... 在调制掺杂（Si）Al0.27Ga0.73As／GaAs多量子阱结构的光致发光谱中，观测到一个强发光峰及多个低能弱发光峰．强发光峰是量子阱中基态电子与重空穴复合，即激子复合形成的，其低温发光线形可用Voigt函数拟合.低能弱峰是势垒层Al0.27Ga0.73As中DX中心能级上的电子跃迁到SiAs原子而引起，由此确定DX中心有四个能级，其激活能分别为0．35、037、0．39、0． 展开更多
关键词 调制掺杂 多量子阱 光致发光 半导体 结构
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