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多功能HBT技术
1
作者
w.j.ho
东熠
《半导体情报》
1991年第2期9-13,共5页
为了制作高性能微波电路和数字电路,本文研究了自对准AlGaAs/GaAs HBT技术。这一技术可使晶体管具有高f_(max)(达218GHz)、高f_T(达93GHz)和在至少20GHz下高效(功率附加效率在10GHz大于67.8%)微波放大功能。一个微波单片(MMIC)放大器,...
为了制作高性能微波电路和数字电路,本文研究了自对准AlGaAs/GaAs HBT技术。这一技术可使晶体管具有高f_(max)(达218GHz)、高f_T(达93GHz)和在至少20GHz下高效(功率附加效率在10GHz大于67.8%)微波放大功能。一个微波单片(MMIC)放大器,在14~24GHz显示出7dB增益。在同一块晶片上还得到了具有优良性能的高速数字电路如环形振荡器、分频器、数据选择器(MUX)、数据分配器(DEMUX)和鉴相器。有可能实现覆盖全部微波频带的多功能芯片。
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关键词
HBT技术
异质结
双极晶体管
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职称材料
题名
多功能HBT技术
1
作者
w.j.ho
东熠
出处
《半导体情报》
1991年第2期9-13,共5页
文摘
为了制作高性能微波电路和数字电路,本文研究了自对准AlGaAs/GaAs HBT技术。这一技术可使晶体管具有高f_(max)(达218GHz)、高f_T(达93GHz)和在至少20GHz下高效(功率附加效率在10GHz大于67.8%)微波放大功能。一个微波单片(MMIC)放大器,在14~24GHz显示出7dB增益。在同一块晶片上还得到了具有优良性能的高速数字电路如环形振荡器、分频器、数据选择器(MUX)、数据分配器(DEMUX)和鉴相器。有可能实现覆盖全部微波频带的多功能芯片。
关键词
HBT技术
异质结
双极晶体管
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
多功能HBT技术
w.j.ho
东熠
《半导体情报》
1991
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