G波段AlN/GaN HEMT外延材料

南京电子器件研究所基于MOCVD平台,在100 mm SiC半绝缘衬底上,提出恒压式气流吹扫和台阶式流场调控技术分别应用于生长AlN/GaN异质结界面和AlN势垒层,显著改善了AlN/GaN异质结界面不清晰、Al原子表面扩散长度偏低的外延难题,研制出高性能AlN/GaN HEMT外延材料。图1为AFM 5μm×5μm范围下的表面形貌,势垒层表面平整,原子台阶明显,RMS=0.3 nm,且无明显缺陷。

自交联水性涂料组合物

要解决的问题：聚氨酯涂料和含氨基甲醛树脂的涂料都是较好的木器漆，但由于环保法规对VOC的限制，因此在不牺牲涂料性能的情况下，开发出低甲醛或不含甲醛的此类涂料是一个挑战。