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GaAsSb/InP异质结晶体三极管
被引量:
4
1
作者
和作现刚
watkins
,
sp
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期117-117,共1页
当x~0.5时,GaAs1-xSbx的晶格与InP衬底匹配,其带隙为0.72 eV,可用于InP衬底上的异质结晶体三极管的基区材料。最近的实验结果表明GaAs0.5Sb0.5/InP的能带为Ⅱ型异质结构:GaAs0.5Sb0.5的导带位于InP导带之上180 meV,其价...
当x~0.5时,GaAs1-xSbx的晶格与InP衬底匹配,其带隙为0.72 eV,可用于InP衬底上的异质结晶体三极管的基区材料。最近的实验结果表明GaAs0.5Sb0.5/InP的能带为Ⅱ型异质结构:GaAs0.5Sb0.5的导带位于InP导带之上180 meV,其价带位于InP价带之上760 meV,该价带偏置几乎是InGaAs/InP(378 meV)的两倍,这种大的价带偏置有效地阻止了空穴重注入到发射区,并且更重要的是其导带偏置使得电子以弹道方式从GaAs0.5Sb0.5基区发射到InP集电区。因此,从能带工程的角度分析,GaAs0.5Sb0.5是制作基于InP衬底的异质结晶体管(HBT)的理想基区材料。本文简要报道采用金属有机气相外延(MOVPE)生长GaAsSb/InP HBT器件材料。
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关键词
GaAsSb/InP
异质结
晶体三极管
下载PDF
职称材料
题名
GaAsSb/InP异质结晶体三极管
被引量:
4
1
作者
和作现刚
watkins
,
sp
机构
山东大学晶体材料国家重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期117-117,共1页
基金
国家自然科学基金
文摘
当x~0.5时,GaAs1-xSbx的晶格与InP衬底匹配,其带隙为0.72 eV,可用于InP衬底上的异质结晶体三极管的基区材料。最近的实验结果表明GaAs0.5Sb0.5/InP的能带为Ⅱ型异质结构:GaAs0.5Sb0.5的导带位于InP导带之上180 meV,其价带位于InP价带之上760 meV,该价带偏置几乎是InGaAs/InP(378 meV)的两倍,这种大的价带偏置有效地阻止了空穴重注入到发射区,并且更重要的是其导带偏置使得电子以弹道方式从GaAs0.5Sb0.5基区发射到InP集电区。因此,从能带工程的角度分析,GaAs0.5Sb0.5是制作基于InP衬底的异质结晶体管(HBT)的理想基区材料。本文简要报道采用金属有机气相外延(MOVPE)生长GaAsSb/InP HBT器件材料。
关键词
GaAsSb/InP
异质结
晶体三极管
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAsSb/InP异质结晶体三极管
和作现刚
watkins
,
sp
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2001
4
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职称材料
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