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在SEM上进行晶片检测程式优化的新方法
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作者 Andrew Stamper Sang Chong +4 位作者 Kourosh Nafisi Petra Feichtinger weeteck chia David Randall Aneesh Khullar 《集成电路应用》 2008年第5期30-32,共3页
更细的设计规则、更小的缺陷类型、更多的噪声源和新的工艺整合方案,给原本有效的在线晶片检测方法带来了严峻挑战。通过描绘在线检测到的良率限制缺陷的量值以及它们对在线和最终测试良率的影响程度,往往可以获得良率改进最佳方法。... 更细的设计规则、更小的缺陷类型、更多的噪声源和新的工艺整合方案,给原本有效的在线晶片检测方法带来了严峻挑战。通过描绘在线检测到的良率限制缺陷的量值以及它们对在线和最终测试良率的影响程度,往往可以获得良率改进最佳方法。特定良率事件的影响程度通常可以决定良率、集成和制程设计团队的工作优先次序。有效的在线缺陷检测不仅可以监控生产线状况、提高良率,还可以防止在制品(WIP)可能发生的缺陷偏移。 展开更多
关键词 在线检测 晶片 SEM 优化 程式 缺陷类型 影响程度 设计规则
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