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Opto-electrical characteristics of the Mg doped nonpoplar （11-20） GaN on R-plane sapphire
1
作者
Wei-Chih Lai
wei-yu yen
+2 位作者
Li-Chi. Peng
Jinn-Kong Sheu
Yu-Ping Hsu
《材料科学与工程（中英文版）》
2009年第10期47-50,共4页
关键词
镁掺杂
氮化镓
蓝宝石
光电特性
室温光致发光
退火温度
峰值波长
能量转移
下载PDF
职称材料
题名
Opto-electrical characteristics of the Mg doped nonpoplar （11-20） GaN on R-plane sapphire
1
作者
Wei-Chih Lai
wei-yu yen
Li-Chi. Peng
Jinn-Kong Sheu
Yu-Ping Hsu
机构
Institute of the Electronic-Optical Science and Engineering
Epistar corporation
出处
《材料科学与工程（中英文版）》
2009年第10期47-50,共4页
关键词
镁掺杂
氮化镓
蓝宝石
光电特性
室温光致发光
退火温度
峰值波长
能量转移
Keywords
non-polar GaN： Mg
Mg activation energy
acceptor ionization energies
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
P619.281 [天文地球—矿床学]
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1
Opto-electrical characteristics of the Mg doped nonpoplar （11-20） GaN on R-plane sapphire
Wei-Chih Lai
wei-yu yen
Li-Chi. Peng
Jinn-Kong Sheu
Yu-Ping Hsu
《材料科学与工程（中英文版）》
2009
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