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快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响
被引量:
1
1
作者
卢励吾
张砚华
+4 位作者
徐遵图
徐仲英
王占国
J.Wang
weikunge
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期367-371,共5页
研究分子束外延 (MBE)生长的应变In0 .2 Ga0 .8As GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理 (RTA)效应 .结果表明 ,RTA移除了InGaAs GaAs界面非辐射中心 ,提高 77K光致发光效率和有源层电子发射 .同时Al和Ga原子互扩散 ...
研究分子束外延 (MBE)生长的应变In0 .2 Ga0 .8As GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理 (RTA)效应 .结果表明 ,RTA移除了InGaAs GaAs界面非辐射中心 ,提高 77K光致发光效率和有源层电子发射 .同时Al和Ga原子互扩散 ,也增加了AlGaAs波导层DX中心浓度 .RTA处理后样品电流冲击老化实验证明DX中心浓度呈现出相应的增加 .这表明DX中心可能是激光二极管性能退化的原因之一 .
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关键词
量子阱
快速热处理
电子发射
DX中心
激光二极管
RTA
INGAAS/GAAS
半导体激光器
铟镓砷化合物
砷化镓
原文传递
分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别
被引量:
1
2
作者
卢励吾
张砚华
+1 位作者
J.Wang
weikunge
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期372-376,共5页
应用深能级瞬态谱 (DLTS)技术研究分子束外延 (MBE)生长的highelectronmobilitytransistors (HEMT)和Pseudo morphichighelectronmobilitytransistors (P HEMT)结构深中心行为 .样品的DLTS谱表明 ,在HEMT和P HEMT结构的n AlGaAs层里存...
应用深能级瞬态谱 (DLTS)技术研究分子束外延 (MBE)生长的highelectronmobilitytransistors (HEMT)和Pseudo morphichighelectronmobilitytransistors (P HEMT)结构深中心行为 .样品的DLTS谱表明 ,在HEMT和P HEMT结构的n AlGaAs层里存在着较大浓度 (10 1 5- 10 1 7cm- 3 )和俘获截面 (10 - 1 6cm2 )的近禁带中部电子陷阱 .它们可能与AlGaAs层的氧含量有关 .同时还观察到P HEMT结构晶格不匹配的AlGaAs InGaAs GaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心 (与硅有关 )能级位置的有序移动 .其移动量可作为应力大小的一个判据 ,表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具 .
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关键词
分子束外延生长
高电子迁移率
超高速微结构
功能材料
深中心识别
深能级瞬态谱
光电器件
原文传递
题名
快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响
被引量:
1
1
作者
卢励吾
张砚华
徐遵图
徐仲英
王占国
J.Wang
weikunge
机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室
中国科学院半导体研究所光电子工程中心
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室
香港科技大学物理系
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期367-371,共5页
基金
国家自然科学基金 (批准号 :6 0 0 76 0 0 8)
国家重点基础研究发展项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 6 83)
香港科技大学HKUST6 135 97P资助的课题~~
文摘
研究分子束外延 (MBE)生长的应变In0 .2 Ga0 .8As GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理 (RTA)效应 .结果表明 ,RTA移除了InGaAs GaAs界面非辐射中心 ,提高 77K光致发光效率和有源层电子发射 .同时Al和Ga原子互扩散 ,也增加了AlGaAs波导层DX中心浓度 .RTA处理后样品电流冲击老化实验证明DX中心浓度呈现出相应的增加 .这表明DX中心可能是激光二极管性能退化的原因之一 .
关键词
量子阱
快速热处理
电子发射
DX中心
激光二极管
RTA
INGAAS/GAAS
半导体激光器
铟镓砷化合物
砷化镓
Keywords
quantum well, rapid thermal annealing, electron emission, DX centers
分类号
TN244 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别
被引量:
1
2
作者
卢励吾
张砚华
J.Wang
weikunge
机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室
香港科技大学物理系
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期372-376,共5页
基金
国家重点基础研究发展项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 6 83)
香港科技大学资助项目 (批准号 :HKUST6 135 97P)资助的课题~~
文摘
应用深能级瞬态谱 (DLTS)技术研究分子束外延 (MBE)生长的highelectronmobilitytransistors (HEMT)和Pseudo morphichighelectronmobilitytransistors (P HEMT)结构深中心行为 .样品的DLTS谱表明 ,在HEMT和P HEMT结构的n AlGaAs层里存在着较大浓度 (10 1 5- 10 1 7cm- 3 )和俘获截面 (10 - 1 6cm2 )的近禁带中部电子陷阱 .它们可能与AlGaAs层的氧含量有关 .同时还观察到P HEMT结构晶格不匹配的AlGaAs InGaAs GaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心 (与硅有关 )能级位置的有序移动 .其移动量可作为应力大小的一个判据 ,表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具 .
关键词
分子束外延生长
高电子迁移率
超高速微结构
功能材料
深中心识别
深能级瞬态谱
光电器件
Keywords
molecular beam epitaxy growth
P-HEMT and HEMT functional materials
deep centers
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响
卢励吾
张砚华
徐遵图
徐仲英
王占国
J.Wang
weikunge
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
原文传递
2
分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别
卢励吾
张砚华
J.Wang
weikunge
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
原文传递
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
统计分析
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